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タイトル: 化合物半導体デバイスプロセスの研究
その他のタイトル: Study of compound semiconductor device process
著者: 太田, 博
Ohta, Hiroshi
キーワード: 化合物半導体
GaAs
HEMT
GaN
p-n Diode
発行日: 2018-3-24
出版者: 法政大学
記述: 主査 教授 栗山一男, 副査 教授 山本康博, 副査 教授 安田彰, 副査 教授 三島友義
URI: http://hdl.handle.net/10114/14084
出現コレクション:021 博士論文

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